工作电压DDR3：1.5V（标准电压），低电压版（DDR3L）为1.35V。DDR4：1.2V，功耗更低。频率范围DDR3：800MHz至2133MHz。DDR4：2133MHz起，最高可达3200MHz或更高。容量与密度DDR3：单条最大通常为8GB。DDR4：单条可达16GB或更大。插槽与兼容性DDR3和DDR4的物理插槽不同（缺口位置不同），互不兼容。性能提升DDR4带宽更高，延迟优化，适合
金士顿D3表示采用DDR3内存技术。DDR3是第三代双倍数据率同步动态随机存取内存（Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random-Access Memory）的简称，主要特点包括：工作电压：1.5V（标准版），比DDR2的1.8V更低预取位数：8-bit，是DDR2的两倍传输速率：800MT/s至2133MT/s内存容量：单条最大可达16GB时序参数：
