金士顿内存条CAS延迟表示反应速度
2025-04-12 13:22:50
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参考资料
CAS延迟(Column Address Strobe Latency)是内存条响应速度的关键参数之一,表示从内存控制器发出列地址到数据开始传输的时间间隔,以时钟周期为单位。
具体说明:
数值越小,延迟越低,内存响应速度越快
常见数值:CL15、CL16、CL18等
与内存频率共同决定实际性能(低延迟+高频率=最佳性能)
同频率下,CL值低的内存条性能更好
示例对比:
DDR4 3200MHz CL16:实际延迟=16÷(3200/2)×1000=10ns
DDR4 3600MHz CL18:实际延迟=18÷(3600/2)×1000=10ns
(两者实际延迟相同)
注意:需与主板兼容,高频低延迟内存可能需要手动设置BIOS参数。